近日，由北京三聚阳光知识产权代理有限公司和北京易聚律师事务所联合代理的一件专利无效宣告请求结案。国家知识产权局作出第 563603 号无效审查决定，宣告江苏多维科技有限公司拥有的第 201510005952.7 号“一种单芯片具有校准/重置线圈的 Z 轴线性磁电阻传感器”发明专利权全部无效。

　　专利法第九条第一款规定：同样的发明创造只能授予一项专利权。但是，同一申请人同日对同样的发明 创造既申请实用新型专利又申请发明专利，先获得的实用新型专利权尚未终止，且申请人声明放弃该实用新型专利权的，可以授予发明专利权。

　　对于发明或者实用新型，专利法第九条中所述的“同样的发明创造”是指两件或者两件以上申请（或者专利）中存在的保护范围相同的权利要求。

　　在判断是否为同样的发明创造时，应当将两件发明或者实用新型专利申请或者专利的权利要求书的内容进行比较，而不是将权利要求书与专利申请或者专利文件的全部内容进行比较。判断时，如果一件专利申请或者专利的一项权利要求与另一件专利申请或者专利的某一项权利要求保护范围相同，应当认为它们是同样的发明创造。

　　本专利授权公告时的权利要求书与证据 1权利要求 1 分段对比如下：

　　本专利：“1.一种单芯片具有校准/重置线圈的 Z 轴线性磁电阻传感器，其特征在于，包括单芯片 Z 轴线性磁电阻传感器，以及校准线圈或/和重置线圈；

　　证据1：“1.一种单芯片具有校准/重置线圈的 Z 轴线性磁电阻传感器，其特征在于，包括单芯片 Z 轴线性磁电阻传感器，以及校准线圈或/和重置线圈；

　　本专利：所述单芯片 Z 轴线性磁电阻传感器包括位于衬底上的软磁通量集中器和磁电阻传感单元阵列，所述软磁通量集中器为长条形，其长轴沿 Y 方向，短轴沿 X 方向，所有所述磁电阻传感单元为 TMR 传感单元，并且被钉扎层磁化方向都沿 X 方向，其自由层磁化方向都沿 Y 方向，所述磁电阻传感单元沿所述 Y 方向电连接成推磁电阻传感单元串和挽磁电阻传感单元串，并分别位于相对应的所述软磁通量集中器表面上方或下方的 Y 轴中心线的两侧，且距离所述 Y 轴中心线具有相同的距离，所述推磁电阻传感单元串和所述挽磁电阻传感单元串电连接成推挽式磁电阻传感器，测量 Z 方向外磁场时，所述软磁通量集中器将所述 Z 方向外磁场扭曲成具有分别平行和反平行于所述被钉扎层磁化方向且幅度相同的两个磁场分量，并分别作用于所述推磁电阻传感单元串和所述挽磁电阻传感单元串；

　　证据1：所述单芯片 Z 轴线性磁电阻传感器包括位于衬底上的软磁通量集中器和磁电阻传感单元阵列，所述软磁通量集中器为长条形，其长轴沿 Y 方向，短轴沿 X 方向，所有所述磁电阻传感单元为 TMR 传感单元，并且被钉扎层磁化方向都沿 X 方向，其自由层磁化方向都沿 Y 方向，所述磁电阻传感单元沿所述 Y 方向电连接成推磁电阻传感单元串和挽磁电阻传感单元串，并分别位于相对应的所述软磁通量集中器表面上方或下方的 Y 轴中心线的两侧，且距离所述 Y 轴中心线具有相同的距离，所述推磁电阻传感单元串和所述挽磁电阻传感单元串电连接成推挽式磁电阻传感器，测量 Z 方向外磁场时，所述软磁通量集中器将所述 Z 方向外磁场扭曲成具有分别平行和反平行于所述被钉扎层磁化方向且幅度相同的两个磁场分量，并分别作用于所述推磁电阻传感单元串和所述挽磁电阻传感单元串；

　　本专利：所述校准线圈为平面校准线圈或三维校准线圈，所述校准线圈包含平行于所述推磁电阻传感单元串和挽磁电阻传感单元串的直导线，且分别在所述推磁电阻传感单元串和挽磁电阻传感单元串处产生具有强度相同，但方向分别平行和反平行于所述被钉扎层磁化方向的磁场分量的校准磁场；

　　证据1：所述校准线圈包含平行于所述推磁电阻传感单元串和挽磁电阻传感单元串的直导线，且分别在所述推磁电阻传感单元串和挽磁电阻传感单元串处产生具有强度相同，但方向分别平行和反平行于所述被钉扎层磁化方向的磁场分量的校准磁场；

　　本专利：所述重置线圈为平面重置线圈或三维重置线圈，所述重置线圈包含平行于所述磁电阻传感单元被钉扎层磁化方向的直导线，且在所有所述磁电阻传感单元处均产生具有平行于自由层磁化方向的磁场分量的均匀重置磁场。

　　证据1：所述重置线圈包含平行于所述磁电阻传感单元被钉扎层磁化方向的直导线，且在所有所述磁电阻传感单元处均产生具有平行于自由层磁化方向的磁场分量的均匀重置磁场。”

　　由上可见，本专利权利要求 1 和证据 1 权利要求 1 的文字区别仅在于，本专利权利要求 1 多限定了“所述校准线圈为平面校准线圈或三维校准线圈”、“所述重置线圈为平面重置线圈或三维重置线圈”，其他特征均相同。

　　本专利要解决的技术问题是，在单芯片 Z 轴线性磁电阻传感器进行测试的时候，测试用外加磁场设置不方便、不准确，为此，本专利在上述单芯片 Z 轴线性磁电阻传感器的芯片上，引入校准线圈或/和重置线圈。本专利权利要求 1 上述争议特征分别限定了“校准线圈”和“重置线圈”的“平面”、“三维”布置方式下线圈呈现的形态，其中线圈的“平面”、“三维”的布置方式是该领域中固有的、必然的布置方式,也即，校准线圈和重置线圈必然体现为“平面”或“三维”的布置方式。如前所述，鉴于线圈的“平面”、“三维”的布置方式是该领域中固有的、必然的布置方式，证据 1 权利要求 1 中校准线圈和重置线圈也必然体现为“平面”、“三维”的布置方式。本专利权利要求 1 与证据 1 权利要求 1 属于同样的发明创造，保护范围相同，本专利权利要求 1 不符合专利法第九条第一款的规定。